Научный сотрудник Дальневосточного федерального университета (ДВФУ) Олег Третьяков первым в мире обнаружил «скирмионный эффект Холла», позволяющий создать быструю и энергонезависимую электронную память, сообщает вуз. «Скирмионы (топологически нетривиальные конфигурации магнитного спина с вихреподобной структурой) могут стать основой будущих магнитных технологий памяти»,— цитирует ДФГУ в своем сообщении слова господина Третьякова.

По словам ученого, «современные жесткие диски для хранения информации используют магнитные домены, чей минимальный физический размер уже достиг 100 нм», в то время как скирмионы могут поддерживать более высокую плотность. «Такая память будет сохранять информацию даже при выключении питания»,— подчеркнул Олег Третьяков.

О существующих технологиях производства электронной памяти читайте в материале «Ъ» «В России будет построена первая в мире фабрика микросхем памяти MRAM по технологии 65 нм».